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5962R2020202VXC中文资料英飞凌 QML-V 认证的 16Mb 快速异步 SRAM,配备 ECC,适用于抗辐射内存解决方案数据手册Infineon规格书
5962R2020202VXC规格书详情
描述 Description
英飞凌的 16Mb 异步 SRAM 系列采用英飞凌专利的 RADSTOPTM 技术设计,非常适合太空以及其他恶劣环境应用。16Mb 快速 SRAM 是一种高性能、低功耗 SRAM,具有 ECC,以 2 Mbit 乘以 8 位的方式组织。对于飞行设备,请订购 QML-V 零件编号 5962R2020202VXC。
特性 Features
• 16 Mb 密度,2M x 8
• 嵌入式 ECC,用于单位纠错
• 10ns 访问时间
• 2.2V 至 3.6 V 工作电压范围
• –55°C 至 +125°C 军用温度等级
• 36 引脚陶瓷扁平封装 (CFP)
• DLAM QML-V 认证 SMD 5962-20202,16Mb 快速异步 SRAM (2M x 8),(CYRS1069G30)
• 辐射性能
• TID:200 Krad
• SEL:> 60 MeV.cm2/mg @ 95°C
• SEU:≤ 1 x 10-10 次扰乱/位天
• 如需飞行设备,请订购 QML-V 部件号 5962R2020202VXC
技术参数
- 制造商编号
:5962R2020202VXC
- 生产厂家
:Infineon
- Operating Temperature
:-55 °C to 125 °C
- Operating Voltage
:2.2 V to 3.6 V
- Interfaces
:Parallel
- Currently planned availability until at least
:2033
- Organization (X x Y)
:2M x8
- Qualification
:Military
- Device weight
:3878.7 mg
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