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B5818W	文件：791.26 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
B5818W	文件：139.8 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
B5818W	文件：465.61 Kbytes Page：2 Pages	SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications. MaximumRatingsandElectricalCharacteristics,SingleDiode@Ta=25℃	BAIDUMICROBaiDu Micro electrons Co., Ltd 百度微深圳市百度微电子有限公司	BAIDUMICRO
B5818W	文件：2.21006 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes Features ●VR30V ●IFAV1A Applications ●LowVoltageRectification ●LowPowerConsumptionApplications ●HighEfficiencyDC/DCConversion Marking ●SK	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
B5818W	文件：395.96 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
B5818W	文件：979.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
B5818W	文件：530.46 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
B5818W	文件：275.84 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5818W	文件：790.7 Kbytes Page：3 Pages	Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. FEATURES： ◆ExtremelylowVF. ◆Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ◆Lowpowerloss/highefficient ◆ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ◆FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
B5818W	文件：149.76 Kbytes Page：5 Pages	SOD-12340V/1ASchottkyDiode FEATURES -LowForwardVoltageDrop -SurfaceMountedDevice -Moisturesensitivitylevel1 -PbfreeandRoHScompliant APPLICATION Lowvoltage,highfrequencyinverters MECHANICALDATA -Case:BendleadSOD-123package -Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10s -Weight:10m	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
B5818W	文件：985.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
B5818W	文件：149.07 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5818W	文件：362.55 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B5818W	文件：256.899 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
B5818W	文件：33.55 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
B5818W	文件：245.95 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5818W	文件：980.06 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
B5818W	文件：423.92 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
B5818W	文件：368.19 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyBarrierRectifier20-40Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •GuardRingProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •PowerDissipation:250mW •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
B5818W	文件：62.92 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Powerdissipation PD:450mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:1A Collector-basevoltage VR:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

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详细参数

型号：
5818SMG
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
1 Amp Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多5818SMG供应商更新时间2024-5-13 10:19:00

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