55GN01MA-TL-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
55GN01MA-TL-E
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi(安森美)
库存数量：
3022
产品封装：
MCPH-3
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-8 23:00:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：55GN01MA-TL-E品牌：onsemi(安森美)

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

55GN01MA-TL-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装MCPH-3/SC-70，SOT-323的55GN01MA-TL-E晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
55GN01MA-TL-E
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
308.02 kb
资料说明：
RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
55GN01MA-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
4.5GHz ~ 5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB @ 1GHz
增益：
10dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
400mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
3-MCP
描述：
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
高捷芯城-敏敏
手机：
13378405761
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

55GN01MA-TL-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

55GN01MA-TL-E

产品属性

供应商

相关型号

相近型号