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55190IBZ	文件：1.23534 Mbytes Page：18 Pages	型号：ISL55190IBZ；Package：SOIC；Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp Features •1.2nV/Hzinputvoltagenoise,fO=1kHz •HarmonicDistortion-95dBc,-92dBc,fO=4MHz •Stableatgainsaslowas5 •800MHzgainbandwidthproduct(AV=5) •268V/μstypicalslewrate •16mAtypicalsupplycurrent(21μAindisablemode) •300μVtypicaloffsetvoltage •25μA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
55190IBZ	文件：1.23534 Mbytes Page：18 Pages	型号：ISL55190IBZ-T13；Package：SOIC；Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp Features •1.2nV/Hzinputvoltagenoise,fO=1kHz •HarmonicDistortion-95dBc,-92dBc,fO=4MHz •Stableatgainsaslowas5 •800MHzgainbandwidthproduct(AV=5) •268V/μstypicalslewrate •16mAtypicalsupplycurrent(21μAindisablemode) •300μVtypicaloffsetvoltage •25μA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司

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55190IBZ

文件：1.23534 Mbytes

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型号：ISL55190IBZ；Package：SOIC；Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp

Features •1.2nV/Hzinputvoltagenoise,fO=1kHz •HarmonicDistortion-95dBc,-92dBc,fO=4MHz •Stableatgainsaslowas5 •800MHzgainbandwidthproduct(AV=5) •268V/μstypicalslewrate •16mAtypicalsupplycurrent(21μAindisablemode) •300μVtypicaloffsetvoltage •25μA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

55190IBZ

文件：1.23534 Mbytes

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型号：ISL55190IBZ-T13；Package：SOIC；Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp

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瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
55190IBZ
功能描述：
IC OPAMP ULT L-NOISE/DIST 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
其它有关文件：
Automotive Product Guide
产品培训模块：
Lead(SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program
标准包装：
1
放大器类型：
通用
电路数：
1
输出类型：
满摆幅
转换速率：
3 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
1pA 电压 -
输入偏移：
70µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商设备封装：
SOT-6
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MAX4475AUT#TG16DKR

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更多55190IBZ供应商更新时间2025-8-4 15:23:00

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