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TPD1E1B04DPYR	文件：993.49 Kbytes Page：21 Pages	丝印：4X；Package：X1SON；TPD1E1B04 1-Channel ESD Protection Diode with Low RDYN and Low Clamping Voltage 1 Features 1• IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection – ±30-kV Contact Discharge – ±30-kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT Protection – 80 A (5/50 ns) • IEC 61000-4-5 Surge Protection – 6.3 A (8/20 μs) • IO Capacitance: 1 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 6.4 V (Typical) • Low Leaka 文件：993.49 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
TPD1E1B04DPYR.B	文件：993.49 Kbytes Page：21 Pages	丝印：4X；Package：X1SON；TPD1E1B04 1-Channel ESD Protection Diode with Low RDYN and Low Clamping Voltage 1 Features 1• IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection – ±30-kV Contact Discharge – ±30-kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT Protection – 80 A (5/50 ns) • IEC 61000-4-5 Surge Protection – 6.3 A (8/20 μs) • IO Capacitance: 1 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 6.4 V (Typical) • Low Leaka 文件：993.49 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
TPD1E1B04DPYRG4.B	文件：993.49 Kbytes Page：21 Pages	丝印：4X；Package：X1SON；TPD1E1B04 1-Channel ESD Protection Diode with Low RDYN and Low Clamping Voltage 1 Features 1• IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection – ±30-kV Contact Discharge – ±30-kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT Protection – 80 A (5/50 ns) • IEC 61000-4-5 Surge Protection – 6.3 A (8/20 μs) • IO Capacitance: 1 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 6.4 V (Typical) • Low Leaka 文件：993.49 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
MM1Z6V8	文件：896.36 Kbytes Page：3 Pages	丝印：4X；Silicon planar zener diode in a small plastic 文件：896.36 Kbytes 页数：3 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
MM1Z6V8	文件：1.04178 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4X；Package：SOD-123；Zener Diodes 文件：1.04178 Mbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
MM1Z6V8	文件：544.59 Kbytes Page：4 Pages	丝印：4X；Package：SOD-123；Silicon Planar Zener Diodes 文件：544.59 Kbytes 页数：4 Pages	BYTESONIC 松浩电子	BYTESONIC
MM1Z6V8L	文件：387.17 Kbytes Page：3 Pages	丝印：4X；Package：SOD123FL；Silicon Planar Zener Diodes 文件：387.17 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
MM5Z4701T1G	文件：196.73 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4X；Package：SOD-523；Zener Voltage Regulators 文件：196.73 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MM5Z4701T1G	文件：198.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4X；Package：SOD-523；Zener Voltage Regulators 500 mW, Low IZ SOD??23 Surface Mount 文件：198.22 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MM5Z4701T5G	文件：198.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4X；Package：SOD-523；Zener Voltage Regulators 500 mW, Low IZ SOD??23 Surface Mount 文件：198.22 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
TPD1E1B04DPYR
制造商：
Texas Instruments
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.6V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6.4V（标准）
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
8.5V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
6.3A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
50W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
1pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0402（1006 公制）
供应商器件封装：
2-X1SON（1x.60）
描述：
TVS DIODE 3.6VWM 8.5VC 2X1SON

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