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4R8ACBA	文件：1.25278 Mbytes Page：13 Pages	型号：GANB4R8-040CBA；Package：WLCSP22_SOT8086；40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 1.Generaldescription TheGANB4R8-040CBAisa40V,4.8mΩbi-directionalGalliumNitride(GaN)HighElectron- Mobility-Transistor(HEMT)inaWaferLevelChip-Scale(WLCSP)package.Itisanormally-offemode deviceofferingsuperiorperformance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmod	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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型号：GANB4R8-040CBA；Package：WLCSP22_SOT8086；40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)

1.Generaldescription TheGANB4R8-040CBAisa40V,4.8mΩbi-directionalGalliumNitride(GaN)HighElectron- Mobility-Transistor(HEMT)inaWaferLevelChip-Scale(WLCSP)package.Itisanormally-offemode deviceofferingsuperiorperformance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmod

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更多4R8ACBA供应商更新时间2025-8-1 10:08:00

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