| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>4PS01512E33G30862>芯片详情
4PS01512E33G30862_INFINEON/英飞凌_IGBT 模块博通航睿技术
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
4PS01512E33G30862
- 功能描述:
IGBT 模块
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
相近型号
- 4PS04006E33G30851
- 4PS11.05P2
- 4PS1200
- 4PS223J2J6AA615MA1
- 4PS223J3A6AA615MA1
- 4PS3.57P545
- 4PS333J3A6AA615MA1
- 4PS333J3A6AS6035A1
- 4PS393J2J6AA615MA1
- 4PS473J3A6AA615MA1
- 4PS473K2J6AS6035A1
- 4PS560MH11
- 4PS560MH11-T15
- 4PS563J2J6AA615MA1
- 4PS820MJ12
- 4PS820MJ12-T14
- 4PS823J2J6AA615MA1
- 4PS823J3A9AA915MA1
- 4POSVERTHDR
- 4PS823J3A9AS9035A1
- 4POSSPTHSG
- 4P-SAN
- 4POSSKTSTP
- 4P-SAN-K
- 4PMALE
- 4P-SAN-W
- 4PM0000711GP
- 4P-SBF-AK
- 4P-LV-P
- 4P-SBN
- 4P-LV
- 4P-SCN
- 4P-SCN-K
- 4PJ1103A-S
- 4P-SCN-R
- 4PINDIPSOCKET
- 4PSDN
- 4P-SDN
- 4P-SDN-A
- 4P-SJN
- 4PIN2X1LEAD
- 4PSP10
- 4PH-FAST
- 4PSSU102
- 4PH50UD
- 4PSTBATIN
- 4PH50U
- 4P-SVF
- 4PH30KD
- 4P-SVF-V



