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4N60_11	文件：376.13 Kbytes Page：8 Pages	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：376.13 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
MGP4N60E	文件：124.46 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications 文件：124.46 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications 文件：120.94 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGP4N60ED	文件：146.13 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–block 文件：146.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
4N60_11
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	4N60A	AM	2447	TO220F	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	4N60A	AM	1229+	TO220F	2000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	4N60A	AM	23+	TO220F	2000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	4N60A	AM	25+	TO220F	90000	全新原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	4N60A1	LX	23+	TO-220AB	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	4N60B	IR	25+23+	TO-220	24944	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	4N60B	FSC	25+	TO-220	79	普通	询价
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更多4N60_11供应商更新时间2026-4-17 15:01:00

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