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4N40W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：6-DIP（0.400"，10.16mm）类别：隔离器光隔离器 - 双向可控硅，SCR 输出描述：OPTOISOLATOR 5.3KV SCR 6DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
4N40	文件：171.38 Kbytes Page：8 Pages	PHOTOSCROPTOCOUPLERS DESCRIPTION The4N39and4N40haveagallium-arsenideinfraredemittingdiodeopticallycoupledwithalightactivatedsiliconcontrolledrectifierinadualin-linepackage. FEATURES •10A,T2Lcompatible,solidstaterelay •25Wlogicindicatorlampdriver •400Vsymmetricaltransistorc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
4N40	文件：67.85 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.1Ω(Max) ·FastSwitching APPLICATIONS ·Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
4N40	文件：44.23 Kbytes Page：1 Pages	PhotoSCR PhotoSCR SingleChannelDip,PhotoSCR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
4N40	文件：153.68 Kbytes Page：3 Pages	4A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC4N40isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergy	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N40	文件：420.41 Kbytes Page：5 Pages	PHOTOSCROPTOCOUPLERS	QT QT Brightek (QTB)	QT
4N40	文件：129.509 Kbytes Page：1 Pages	OpticallyCoupledSCRIsolators PhotoSCR SingleChannelDip,PhotoSCR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
4N40G-TMS-T	文件：189.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N40L-TMS-T	文件：189.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MSD4N40	文件：971.95 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MSU4N40	文件：810.88 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTP4N40E	文件：301.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP4N40E	文件：239.83 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=1.8OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
PHB4N40E	文件：78.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP4N40E	文件：78.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX4N40E	文件：72.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX4N40Eissupplied	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RFM4N40	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP4N40	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP4N40	文件：1.08671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP4N40	文件：323.74 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex

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产品属性

产品编号：
4N40W
制造商：
onsemi
类别：
隔离器 > 光隔离器 - 双向可控硅，SCR 输出
包装：
管件
输出类型：
SCR
过零电路：
无
电压 - 隔离：
5300Vrms
静态 dV/dt（最小值）：
500V/µs
电流 - LED 触发 (Ift)（最大值）：
14mA
电流 - 保持 (Ih)：
1mA
接通时间：
50µs（最大）
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.1V
工作温度：
-55°C ~ 100°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
6-DIP（0.400"，10.16mm）
供应商器件封装：
6-DIP
认证机构：
UR
描述：
OPTOISOLATOR 5.3KV SCR 6DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	4N40W	Fairchild	23+		33500		询价
深圳市创新迹电子有限公司	4N40W	ON Semiconductor	2023+		8700	原装现货	询价
深圳市信佳源电子有限公司	4N40X	ISOCOM	11+	DIP SOP	19319	原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	4N40-X006	FAIRCHILD/仙童	2021+	DIP6 SOP6	30480	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市一线半导体有限公司	4N45	AGILENT	02+	DIP-6P	19	现货	询价
深圳市锦达世纪科技有限公司	4N45	HP	04+	DIP-6	2000		询价
深圳市博浩通科技有限公司	4N45	agi	23+		8890	价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	4N45	FAIRCHILD	19+	DIP6	59829	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	4N45	TI	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
上海金庆电子技术有限公司	4N45	HEWLETT-PACKARD	新		150	全新原装货期两周	询价

更多4N40W供应商更新时间2024-6-20 10:30:00

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