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LTV-4N35S-TA	文件：269.2 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLite-OnOnly Features •Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) •Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) •Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) •ULapproved(No.E113898) •TUVapproved(No.R9653630) •	LITEONLiteon Semiconductor Corporation 敦南科技股份	LITEON
MTP4N35	文件：301.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
OPIA4N35	文件：2.04384 Mbytes Page：23 Pages	SMDandSOPPackages	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PC4N35V	文件：148.83 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETYPEPHOTOCOUPLER	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
RFM4N35	文件：38.53 Kbytes Page：4 Pages	4A,350Vand400V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drivepower.These	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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RFP4N35	文件：1.08668 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TAA4N35	文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	PigtailedPDforanalogapplication	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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详细参数

型号：
4N35SV
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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