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4N25
厂商型号

4N25

功能描述

The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.

丝印标识

UMW

封装外壳

DIP-6

文件大小

905.19 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司官网

原厂标识
UMW
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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4N25规格书详情

特性 Features

* High isolation 5000 VRMS

* DC input with transistor output

* Operating temperature range - 55 °C to 110 °C

* RoHS & REACH Compliance

* MSL class 1

* UL-approved: UL1577, File No.E492440

产品属性

  • 型号:

    4N25

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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DIP6
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