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AO4924	文件：2.04935 Mbytes Page：8 Pages	丝印：4924；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 9 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.04935 Mbytes 页数：8 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
KO4924	文件：2.04935 Mbytes Page：8 Pages	丝印：4924；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 9 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.04935 Mbytes 页数：8 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
492413	文件：388.07 Kbytes Page：3 Pages	RoHS-Compliant Commencing With 8/1/2005 Production Construction 1) Tubing Type Convoluted Slit Loom 2) Tubing Material Polyethylene (PE) 3) Minimum ID (In) 0.399 4) Maximum ID (In) 0.437 5) Minimum OD (In) 0.569 6) Maximum OD (In) 0.597 7) Color(s) BLACK 文件：388.07 Kbytes 页数：3 Pages	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
4924	文件：1.01103 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.01103 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4924W	文件：1.00461 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.00461 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
4924
功能描述：
MOS N CH DUAL 30V 9A 7.3A SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
SRFET™
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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