STL45P3LLH6芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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STL45P3LLH6	文件：841.85 Kbytes Page：15 Pages	丝印：45P3LLH6；Package：PowerFLAT；P-channel -30 V, 11 m廓 typ., -45 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness  文件：841.85 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多45P3LLH6供应商更新时间2026-1-21 8:49:00