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丝印:4438;Package:SOP-8;N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 8.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件:1.26337 Mbytes 页数:4 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
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4438 | DELAY MODULES,TTL,SURFACE MOUNTED 文件:137.17 Kbytes 页数:1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
Modular Jack, Right Angle, Low Profile, Inverted, 8/8, Unshielded 文件:620.19 Kbytes 页数:7 Pages | MOLEX6 莫仕 | MOLEX6 | ||
Modular Jack, Right Angle, Low Profile, Inverted, 6/6, Unshielded 文件:620.19 Kbytes 页数:7 Pages | MOLEX6 莫仕 | MOLEX6 | ||
Modular Jack 文件:247.68 Kbytes 页数:2 Pages | Molex 莫仕 | Molex | ||
Modular Jack, Right Angle, Low Profile, Inverted, 6/4, Unshielded 文件:620.17 Kbytes 页数:7 Pages | MOLEX6 莫仕 | MOLEX6 | ||
Modular Jack, Right Angle, Low Profile, Inverted, 8/8, Shielded, with All Panel Grounding Tabs 文件:620.47 Kbytes 页数:7 Pages | MOLEX6 莫仕 | MOLEX6 |
详细参数
- 型号:
4438
- 功能描述:
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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