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PBSS4232DD_L2_00001

丝印:4232DD;Package:TO-252AA;NPN Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.8V(max)@Ic/Ib= 2A / 200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in comply with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC61249 Standard

文件:556.87 Kbytes 页数:6 Pages

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更多4232DD供应商 更新时间2025-9-14 11:06:00