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丝印:3W2;Package:DSBGA;TS5A12301E IEC Level 4 ESD-protected 0.75-Ω SPDT Analog Switch With 1.8-V Compatible Input Logic 1 Features 1• Low ON-State Resistance (0.75 Ω) • Low Charge Injection • Excellent ON-State Resistance Matching • Isolation in Power-Down Mode, VCC = 0 • Specified Break-Before-Make Switching • 2.25-V to 5.5-V Power Supply (VCC) • 6-MΩ Input Pulldown Allows Control Input (IN) to Be Unconnec 文件:620.55 Kbytes 页数:26 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:3W2;Package:DSBGA;TS5A12301E IEC Level 4 ESD-protected 0.75-Ω SPDT Analog Switch With 1.8-V Compatible Input Logic 1 Features 1• Low ON-State Resistance (0.75 Ω) • Low Charge Injection • Excellent ON-State Resistance Matching • Isolation in Power-Down Mode, VCC = 0 • Specified Break-Before-Make Switching • 2.25-V to 5.5-V Power Supply (VCC) • 6-MΩ Input Pulldown Allows Control Input (IN) to Be Unconnec 文件:620.55 Kbytes 页数:26 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
3W2 | HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES ● Up to 250 ns max. recovery ● Small size ● Exceptionally low leakage ● Avalanche characteristics 文件:75.33 Kbytes 页数:2 Pages | edi | edi | |
HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER DIODES ● Up to 250 ns max. recovery ● Small size ● Exceptionally low leakage ● Avalanche characteristics 文件:75.33 Kbytes 页数:2 Pages | edi | edi |
详细参数
- 型号:
3W2
- 功能描述:
模拟开关 IC IEC Lev 4 ESD Prot 0.75Ohm SPDT Ana Sw
- RoHS:
否
- 制造商:
Texas Instruments
- 开关数量:
2
- 开关配置:
SPDT
- 开启电阻(最大值):
0.1 Ohms
- 工作电源电压:
2.7 V to 4.5 V
- 最大工作温度:
+ 85 C
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
DSBGA-16
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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