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3STF1640数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

3STF1640

参数属性

3STF1640 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 6A SOT89

功能描述

Low voltage high performance NPN power transistor
TRANS NPN 40V 6A SOT89

封装外壳

TO-243AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 16:00:00

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3STF1640规格书详情

描述 Description

This device is a NPN transistor manufactured using new low voltage planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast switching speed

简介

3STF1640属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的3STF1640晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    3STF1640

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    170mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    350 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 6A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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