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3SK223	文件：208.34 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR RFAMPLIFIERFORCATVTUNER N-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR 4PINSMINIMOLD FEATURES •TheCharacteristicofCross-Modulationisgood. CM=101dBμTYP.@f=470MHz,GR=–30dB •LowNoiseFigure:NF1=2.2dBTYP.(f=470MHz) NF2=0.9dBTYP.(f=55MHz) •Hig	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
3SK223	文件：57.29 Kbytes Page：6 Pages	RFAMPLIFIERFORCATVTUNERN-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR4PINSMINIMOLD FEATURES •TheCharacteristicofCross-Modulationisgood. CM=101dBµTYP.@f=470MHz,GR=–30dB •LowNoiseFigure:NF1=2.2dBTYP.(f=470MHz) NF2=0.9dBTYP.(f=55MHz) •HighPowerGain:GPS=20dBTYP.(f=470MHz) •EnhancementType.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社
4.18E+11	文件：0 bytes Page：0 Pages	WURTH/伍尔特 N/A	WURTH/伍尔特上传：深圳市跃创芯科技有限公司	WURTH/伍尔特
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4.7K	文件：0 bytes Page：0 Pages	风华 MF1/4W	风华上传：深圳市乐创天科技有限公司	风华

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