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3N120L-TA3-T

3.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 3N120-E3 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 7.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Ca

文件:287.17 Kbytes 页数:7 Pages

UTC

友顺

3N95

CAN4

MOT

3NE1021-2

标准封装

西门子

3NE1803-0

标准封装

西门子

3NE1813-0

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更多3N120L-TA3-T供应商 更新时间2025-11-17 13:31:00