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SSM3J108TU

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications •1.8Vdrive •Lowon-resistance:Ron=363mΩ(max)(@VGS=−1.8V) Ron=230mΩ(max)(@VGS=−2.5V) Ron=158mΩ(max)(@VGS=−4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多3J108供应商 更新时间2024-5-24 16:30:00