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3DD301C	文件：70.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. 文件：70.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD301D	文件：72.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV verticaloutput applications. 文件：72.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD301B	文件：70.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. 文件：70.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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3DG120A	文件：0 bytes Page：0 Pages	CHINA 12	CHINA 上传：深圳广友电子有限公司	CHINA

更多3DD301C供应商更新时间2025-10-10 11:10:00