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ESD5302N-3/TR	文件：190.37 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3A；Package：DFN1006-3L；2-Lines, Uni-directional, Ultra-low Capacitance Transient Voltage Suppressors 文件：190.37 Kbytes 页数：7 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
ESD5342N-3/TR	文件：456.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3A；Package：DFN1006-3L；2-Lines, Uni-directional, Low Capacitance Transient Voltage Suppressor 文件：456.36 Kbytes 页数：7 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
LBC856ALT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3A；Package：SOT-23；General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LBC856ALT3G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3A；Package：SOT-23；General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LBC856BDW1T1G	文件：462.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：3A；Package：SOT-363；S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 文件：462.3 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MBRX3A0	文件：498.75 Kbytes Page：4 Pages	丝印：3A；Package：SOD-123FL；Schottky Barrier Rectifiers 文件：498.75 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
NCP705EMT33TCG	文件：1.73281 Mbytes Page：20 Pages	丝印：3A；Package：WDFN6；LDO Voltage Regulator 文件：1.73281 Mbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NX3020NAKW	文件：719.04 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3A；Package：SC-70；30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET 文件：719.04 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDPB56XNEA	文件：734.2 Kbytes Page：17 Pages	丝印：3A；Package：DFN2020D-6；30 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：734.2 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMEG3010AESB	文件：701.69 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3A；Package：DSN1006-2；30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 文件：701.69 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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详细参数

型号：
3A
功能描述：
射频放大器 TAPE-7 MMIC-RFSS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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