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HGN-369	文件：387.81 Kbytes Page：2 Pages	IEC60320INLETSOCKETWITHVOLTAGESELECT,FLANGEMOUNT	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
HMC-ALH369	文件：134.85 Kbytes Page：3 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,24-40GHz GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-ALH369	文件：565.86 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC-ALH369isaGaAsMMICHEMTthreestage,self-biasedLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides22dBofgain,fromasinglebiassupplyof+5V@66mAwithanoisefigureof2dB.TheHMC-ALH369amplifierdieisidealfori	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HVC369	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO FEATURES •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
HVC369B	文件：20.85 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC369B	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：147.67 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：33.21 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD369B	文件：35.71 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

产品属性

产品编号：
369GX
制造商：
Hammond Manufacturing
类别：
变压器 > 电源变压器
系列：
300
包装：
散装
类型：
叠片磁芯
电压 - 初级：
100V，110V，120V，200V，220V，240V
电压 - 次级（满负载）：
450V，6.3V
电流 - 输出（最大值）：
75mA，2.5A
初级绕组：
双，多抽头
次级绕组：
双
中心抽头：
是
功率 - 最大值：
50VA
安装类型：
底座安装
端接样式：
导线引线
大小 / 尺寸：
63.50mm 长 x 69.85mm 宽
高度 - 安装（最大值）：
77.72mm
电压 - 隔离：
2000Vrms
重量：
2.4 磅（1.1 kg）
描述：
PWR XFMR LAMINATED 50VA CHAS MT

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