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IPB320P10LM	文件：1.81941 Mbytes Page：11 Pages	丝印：320P10LM；Package：PG-TO263-3；OptiMOS Power-Transistor,-100 V Features P-channel Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V 100 avalanche tested Logic level Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant *Hlaogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.81941 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多320P10LM供应商更新时间2025-8-13 15:47:00