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STB30NF20	文件：318.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220packaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •PFCstages •LCD&PDPTV •Powersupply •Switchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB30NF20	文件：399.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB30NF20	文件：390.37 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065廓-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconverters. Features ■Gatechargemin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB30NF20	文件：392.22 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFETPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB30NF20L	文件：853.43 Kbytes Page：14 Pages	Verygoodmanufacturingrepeatability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP30NF20	文件：370.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.075Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP30NF20	文件：392.22 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFETPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP30NF20	文件：318.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220packaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •PFCstages •LCD&PDPTV •Powersupply •Switchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP30NF20	文件：940.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP30NF20	文件：390.37 Kbytes Page：16 Pages	N-channel200V-0.065廓-30A-TO-220/TO-247/D2PAKLowgatechargeSTripFET??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconverters. Features ■Gatechargemin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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