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30N06VL-TM3-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

30WQ06FN

Vishay
TO-252AA

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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30WQ06FNTR

IR
TO252AA

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卡莱

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MOLEX

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莫仕

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更多30N06VL-TM3-T供应商 更新时间2025-7-30 14:02:00