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30N06VL-TM3-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 30N06V-Q is a low voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at automotive applications in power supplies,

文件:205.67 Kbytes 页数:6 Pages

UTC

友顺

30P55K

FM/富满
TO-252-2

FM/富满

30WQ06FN

Vishay
TO-252AA

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市宇集芯电子有限公司

30WQ06FNTR

IR
TO252AA

IR

国际整流器

上传:深圳市力拓辉电子有限公司

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UTC/友顺
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更多30N06VL-TM3-T供应商 更新时间2025-10-7 14:02:00