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NCE3013J

丝印:3013J;Package:DFN2X2-6L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE3013J uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =13A RDS(ON)

文件:313.28 Kbytes 页数:8 Pages

NCEPOWER

新洁能

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更多3013J供应商 更新时间2025-9-14 14:14:00