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NCE3008N

丝印:3008N;Package:SOT23-6L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE3008N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge .This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature ● VDS =30V,ID =8A RDS(ON)

文件:338.9 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

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更多3008N供应商 更新时间2025-9-21 9:01:00