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DSEI30-06A	文件：364.17 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Guardingforovervoltageprotection ·Dualrectifierconstruction,positivecentertap ·Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Uni	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：388.59 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06B	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06BR	文件：237.79 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·100avalanchetested APPLICATIONS ·Switchingpowersupply ·Powerswitchingcircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06BR	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06CR	文件：21.91 Kbytes Page：1 Pages	HiPerDynFREDTMEpitaxialDiodewithsoftrecovery(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowcathodetotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FE30-06	文件：129.199 Kbytes Page：2 Pages	3AFASTEFFICIENTRECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
FE30-06	文件：103.02 Kbytes Page：1 Pages	3AFASTEFFICIENTRECTIFIER	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
FE30-06-LFR	文件：129.22 Kbytes Page：2 Pages	3AFASTEFFICIENTRECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

详细参数

型号：
30-06-A
制造商：
OENINDIA
制造商全称：
OEN India Limited
功能描述：
HERMETICALLY SEALED CRYSTAL CAN RELAY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	3006AA	NXP/恩智浦	23+	SOT426(D2Pak)TO263-5	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多30-06-A供应商更新时间2025-5-23 16:26:00

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