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2W2	文件：2.74243 Mbytes Page：6 Pages	型号：BZT52B3V0；Package：SOD-123；SOD-123 Plastic-Encapsulate Zener Diodes Features PlanarDieConstruction 350mWPowerDissipationonCeramicPCB GeneralPurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses AvailableinLeadFreeVersion	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
2W2	文件：2.71065 Mbytes Page：6 Pages	型号：BZT52B3V0S；Package：SOD-323；SOD-323 Plastic-Encapsulate Zener Diodes Features PlanarDieConstruction GeneralPurpose,MediumCurrent 200mWPowerDissipationOnCeramicPBC IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses AvailableinLeadFreeVersion	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
2W2	文件：523.01 Kbytes Page：6 Pages	型号：BZT52B3V0SH；Package：SOD-323；200mW, 2.4V - 75V Surface Mount Zener Diode FEATURES ●AEC-Q101qualified ●Zenervoltagerangeselection:2.4Vto75V ●VZtoleranceselectionof±2% ●Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses ●Moisturesensitivitylevel:level1,perJ-STD-020 ●RoHSCompliant ●Halogen-free APPLICATIONS ●Generalregulationfunctions	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
2W2	文件：299.97 Kbytes Page：3 Pages	型号：BZT52B3V0；Surface Mount Zener Diodes	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2W2	文件：1.04638 Mbytes Page：6 Pages	型号：BZT52B3V0；Package：SOD-123；PLASTIC-ENCAPSULATE ZENER DIODE	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG
2W2H	文件：2.61212 Mbytes Page：50 Pages	型号：TLV9161QDBVRQ1；Package：SOT-23；TLV916x-Q1 Automotive 16-V, 11-MHz, Rail-to-Rail Input or Output, Low Offset Voltage, Low Noise Automotive Op Amp 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel3A (≥2500V) –DeviceCDMESDclassificationlevelC3 (≥1500V) •Lowoffsetvoltage:±210μV •Lowoffsetvoltagedrift:±0.25μV/°C •Lownoise:6	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
2W2H	文件：2.65978 Mbytes Page：51 Pages	型号：TLV9161QDBVRQ1；Package：SOT-23；TLV916x-Q1 Automotive 16-V, 11-MHz, Rail-to-Rail Input or Output, Low Offset Voltage, Low Noise Automotive Op Amp 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel3A (≥2500V) –DeviceCDMESDclassificationlevelC3 (≥1500V) •Lowoffsetvoltage:±210μV •Lowoffsetvoltagedrift:±0.25μV/°C •Lownoise:6	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
2W2H	文件：3.21108 Mbytes Page：58 Pages	型号：TLV9161QDBVRQ1；Package：SOT-23；TLV916x-Q1 Automotive 16V, 11MHz, Rail-to-Rail Input or Output, Low Offset Voltage, Low Noise Automotive Op Amp 1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel3A (≥2500V) –DeviceCDMESDclassificationlevelC3 (≥1500V) •Lowoffsetvoltage:±210μV •Lowoffsetvoltagedrift:±0.25μV/°C •Lownoise:6.8nV	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
2W2
功能描述：
稳压二极管 3.0 Volt 410mW 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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