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2STW1695	文件：192.12 Kbytes Page：9 Pages	HighpowerPNPepitaxialplanarbipolartransistor Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Recommendedfor70Wto100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage. Features ■Highbreak	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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HighpowerPNPepitaxialplanarbipolartransistor

Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Recommendedfor70Wto100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage. Features ■Highbreak

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