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2SK811	文件：178.92 Kbytes Page：4 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET Features Suitable for switching power supplies, actuater controls, and pulse circuits 4 V Gate Drive - Logic level - Large Current Switching : ID(DC)=12A Low RDS(on) No second breakdown 文件：178.92 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK811	文件：323.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：323.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK811	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK852	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-323	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝
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更多2SK811供应商更新时间2026-4-17 11:08:00