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2SK4106	文件：181.8 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 8.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：181.8 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK4106	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	东芝上传：深圳市恒星亚创科技有限公司	东芝
2SK4113	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	TOSHIBA 东芝上传：深圳市博兴电子有限公司	TOSHIBA
2SK508	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT	NEC 瑞萨上传：深圳市讯运电子有限公司	NEC
2SK508G(K52G/K53G)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SK4106	TOSHIBA/东芝	25+	TO-220F	45000	TOSHIBA/东芝全新现货2SK4106即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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深圳庞田科技有限公司	2SK4106	TOSHIBA/东芝	2023+	TO-220F	20000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价

更多2SK4106供应商更新时间2026-1-19 17:05:00