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2SK4080	文件：343.5 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4080 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • Lo 文件：343.5 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK4080	文件：399.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：399.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK4080	文件：960.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.01 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK4080-S27-AY	文件：343.5 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4080 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • Lo 文件：343.5 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK4080-ZK-E1-AY	文件：343.5 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4080 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • Lo 文件：343.5 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK4080-ZK-E2-AY	文件：343.5 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4080 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES • Lo 文件：343.5 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK4080-S27	文件：960.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.01 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
2SK4080
功能描述：
MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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