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2SK4080-ZK-E1-AY规格书详情
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
The 2SK4080 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching
characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous
rectifier.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A)
• Low QGD: QGD = 6.3 nC TYP.
• 4.5 V drive available
产品属性
- 型号:
2SK4080-ZK-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
TO252 |
7350 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
4039 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
10000 |
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23+ |
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96000 |
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瑞萨 |
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TO263 |
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NEC |
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TO-251 |
25000 |
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RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
TO-252 |
18500 |
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RENESAS |
08+ |
TO-252 |
789 |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO-252 |
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RENESAS |
2020+ |
TO-252 |
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