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2SK4075B-ZK-E1-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4075B is N-channel MOS FET designed for high current switching applications. FEATURES •Low on-state resistance RDS(on)1= 7.9 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 25 A) RDS(on)2= 10 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 13 A) •Low Ciss: Ciss= 2230

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RENESAS

瑞萨

2SK4075B-ZK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FETDESCRIPTION\nThe 2SK4075B is N-channel MOS FET designed for high current switching applications.FEATURES\n•Low on-state resistance\nRDS(on)1= 7.9 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 25 A)\nRDS(on)2= 10 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 13 A)\n•Low Ciss:  Ciss= 2230 pF TYP.\n•Logic level dr •Low on-state resistance\nRDS(on)1= 7.9 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 25 A)\nRDS(on)2= 10 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 13 A)\n•Low Ciss:  Ciss= 2230 pF TYP.\n•Logic level drive type;

Renesas

瑞萨

2SK4100LS-T-MG5

-

ON

2SK4106

TO-220F

东芝

2SK4113

TO-220F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市博兴电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    2SK4075B-ZK-E1-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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