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2SK3984-ZK	文件：367.21 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3984 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high speed switching applications such as class-D amplifier. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 71 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 9 A) RDS(on) = 85 mΩ MAX. (VGS = 10 文件：367.21 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3984	文件：367.21 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3984 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high speed switching applications such as class-D amplifier. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 71 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 9 A) RDS(on) = 85 mΩ MAX. (VGS = 10 文件：367.21 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK4028	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT723	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SK4100LS-T-MG5	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	ON 上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	ON
2SK4106	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	东芝上传：深圳市恒星亚创科技有限公司	东芝

详细参数

型号：
2SK3984-ZK
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 18A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3984-ZK供应商更新时间2025-12-7 16:30:00

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