首页 >2SK3742(STA4/A/Q)>规格书列表
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BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SwitchingRegulatorApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=2.2Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=3.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=720V) •Enhancementmodel:Vth=4.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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