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2SK3703数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

2SK3703

参数属性

2SK3703 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH TO220F

功能描述

N-Channel Power MOSFET, 60V, 30A, 26mΩ, TO-220F-3SG
MOSFET N-CH TO220F

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 13:01:00

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2SK3703规格书详情

描述 Description

2SK3703 is an N-Channel Power MOSFET, 60V, 30A, 26mΩ, TO-220F-3SG for General-purposeSwitching Device Application.

特性 Features

• ON-resistance RDS(on) = 20mΩ (typ)
• 4.0V drive
• Input capacitance Ciss = 1780pF (typ)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

简介

2SK3703属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的2SK3703晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SK3703

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-

  • ID Max (A)

    :30

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :26

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :40

  • Ciss Typ (pF)

    :1780

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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