2SK3700中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书
2SK3700规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本
特性 Features
Drain current ID 5 A
Power Dissipation PD 150 W
Drain-Source voltage VDSS 900 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号:
2SK3700
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
13818 |
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询价 | ||
Toshiba |
23+ |
N/A |
400 |
公司只有原装正品 |
询价 | ||
TOS |
2024 |
TO3P |
58209 |
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询价 | ||
TOS |
23+ |
TO-3P |
5000 |
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TOSHIBA |
22+ |
TO-3P |
8000 |
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询价 | ||
TOS |
24+ |
TO-3P |
1200 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
TO-3P |
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询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
N/A |
2023+ |
3P |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
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询价 |