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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
FujiPowerMOSFETSuperFAP-GseriesTargetSpecification Features 1.Highspeedswitching 2.Lowon-resistance 3.Nosecondarybreadown 4.Lowdrivingpower 5.Avalanche-proof | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 | Fuji |
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