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2SK3676-01S	文件：401.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：401.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3676-01S	文件：271.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：271.66 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3676-01SJ	文件：401.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 6.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：401.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3676-01SJ	文件：271.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：271.66 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3676-01S	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 800V-900V	FUJI 富士通	FUJI

更多2SK3676-01S供应商更新时间2025-12-11 14:02:00