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2SK3635D	文件：330.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.43Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3635	文件：250.98 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3635isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3635	文件：46.11 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Highvoltage:VDSS=200V ●Gatevoltagerating:30V ●Lowon-stateresistance RDS(on)=0.43MAX.(VGS=10V,ID=4.0A) ●LowCiss:Ciss=390pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3635	文件：166.72 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3635isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30V •Lowon-stateresistance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SK3635I	文件：398.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.43Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3635-Z	文件：250.98 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3635isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplications suchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3635-Z	文件：166.72 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3635isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasDC/DCconverter. FEATURES •Highvoltage:VDSS=200V •Gatevoltagerating:±30V •Lowon-stateresistance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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