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2SK3607-01MR	文件：323.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 170mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：323.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3607-01MR	文件：111.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：111.83 Kbytes 页数：4 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK3607-01MR	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 100V-300V	FUJI 富士通	FUJI
2SK360IGE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA/东芝上传：深圳广友电子有限公司	TOSHIBA/东芝
2SK3653C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT523	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

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