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2SK3385

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3385

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SK3385

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

2SK3385

MOSFieldEffectTransistor

Features Lowon-resistance RDS(on)1=28mMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) LowCiss:Ciss=1500pFTYP. Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SK3385

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=1500pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

2SK3385-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3385-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SK3385-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=1500pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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更多2SK3385(2)-S27-AY供应商 更新时间2025-7-29 9:12:00