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2SK3233-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3233-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

210.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-19 15:04:00

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2SK3233-E规格书详情

特性 Features

• Low on-resistance: RDS (on) = 1.1 Ω typ.

• Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)

• High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A)

• Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)

• Avalanche ratings

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