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2SK3229-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SK3229-E
厂商型号

2SK3229-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

53.29 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:01:00

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2SK3229-E规格书详情

特性 Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 6 mΩ typ.

• Low drive current

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

产品属性

  • 型号:

    2SK3229-E

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 80V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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