2SK3212中文资料Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching数据手册HITACHI规格书
2SK3212规格书详情
特性 Features
• Low on-resistance
RDS = 0.1 Ω typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
技术参数
- 型号：
2SK3212
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全称：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJITSU/富士通 |
24+ |
NA/ |
389 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO 220 |
158228 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FUJI |
14+ |
TO-220 |
118 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
54252 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
FUJ |
23+24 |
TO220F |
16790 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
询价 | ||
24+ |
TO220F |
9860 |
原装现货/放心购买 |
询价 | |||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
FUJI |
24+ |
TO-220 |
1000 |
询价 | |||
Renesas |
17+ |
TO-220FM |
6200 |
询价 | |||
FUJI |
23+ |
TO-220 |
9516 |
询价 |
