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2SK3113B-S15-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3113B-S15-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

347.16 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 9:05:00

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2SK3113B-S15-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

• Low gate charge

QG = 7.9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
TO-251
60000
询价
Renesas
25+
TO252-2
8800
公司只做原装,详情请咨询
询价
Renesas
24+
TO252-2
16900
原装正品现货支持实单
询价
NEC
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
NEC
2023+
TO-252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
4150
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
NEC CORPORATION
23+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
NEC
24+
TO-252
8866
询价
RENESAS/瑞萨
2450+
TO252
6540
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N/A
2447
SMD
100500
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