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2SK3112-ZJ中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK3112-ZJ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

244.41 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 23:00:00

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2SK3112-ZJ规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3112 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as DC/DC

converter, actuator driver.

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 110 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 13 A)

• Low input capacitance

Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

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